1800 MHz长期电磁辐射对NIH/3T3细胞增殖能力的影响
摘要：
目的 探讨长期1800 MHz电磁辐射对NIH/3T3细胞增殖能力的影响.方法 采用1800MHz电磁辐射,SAR值2 W/kg,间断暴露方式(5 min on/10 min off),5 h/d.对暴露60 d和138 d的细胞,进行平板克隆和软琼脂克隆实验,并采用ELISA法检测端粒酶的表达.结果 平板克隆实验中,60 d暴露组细胞的克隆形成率显著低于假暴露组(P＜0.05),而138 d暴露组细胞的克隆形成率与假暴露组无明显差异.软琼脂克隆实验中,60 d暴露组和假暴露组细胞均未见克隆形成,而138 d暴露组克隆形成率显著高于假暴露细胞.端粒酶检测结果,60 d暴露组细胞的端粒酶表达量与假暴露组无显著差异,而138 d暴露组细胞的端粒酶表达量显著高于假暴露组(P＜0.05).结论 1800 MHz电磁辐射长期暴露至60 d,有损NIH/3T3细胞的增殖能力,而更长期的暴露后(138 d)细胞转化增殖能力增强.
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doi：
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关键词：
细胞增殖
细胞克隆
1800 MHz电磁辐射
NIH/3T3细胞
端粒酶
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Keyword：
cell proliferation
cell clone
1800 MHz electromagnetic radiation
NIH/3T3 cell
telomerase
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作者：
李艳
孙海龙
张红胜
顾敬超
刘强强
王明连
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Author：
LI Yan
SUN Hailong
ZHANG Hongsheng
GU Jingchao
LIU Qiangqiang
WANG Minglian
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作者单位：
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刊名：
北京生物医学工程
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Journal：
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年，卷(期)：
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所属期刊栏目：
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基金项目
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在线出版日期：
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